参考答案：

电源电压，器件参数（宽长比、氧化层厚度），电压摆幅

①当mV（开关阈值）处在电压摆幅的中点附近时，低电平噪声容限和高电容噪声容限具有相同的值。

②若希望使噪声容限最大并得到对称的特性，可以使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度。

③增益越大，噪声容限越大，当增益为无穷大时，噪声容限横跨整个电压摆幅。

④适当提高电源电压也可以提高噪声容限，但这在TTL电路中不可行。另外，噪声容限也与输入模式有关。