参考答案：

大部分多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的，基片广泛使用10~15cm的角。广泛采用光电导率衰减测定法测定少数载流子在基片内的寿命分布，一般采用激光束诱导电流法评价多晶硅的粒界复合速度，也有人提议用氢处理法及吸收法定量评价粒界界面的复合速度。基片技术中最引人注目的是基片的薄形化技术。