问题
单项选择题
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地;
B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间;
C.铁芯支架;
D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
答案
参考答案:D
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地;
B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间;
C.铁芯支架;
D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
参考答案:D