参考答案：

1）气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的

作用。

2）涂胶：采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。

3）前烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。

4）对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。然后将掩模板和硅片曝光。

5）曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110℃的热板上进行曝光后烘焙。

6）显影：是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。

7）坚模烘焙：要求会发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。

8）显影后检查：目的是找出光刻胶有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。