参考答案：

1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。

2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：

○1保真度好，图形分辨率高；

○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。

○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。

缺点：

○1设备复杂

○2选择比不如湿法