参考答案：

1）沟道效应：衬底为单晶材料，离子束准确的沿着晶格方向注入，几乎不会受到原子核的散射，其纵向分布峰值与高斯分布不同。一部分离子穿过较大距离。

2）抑制方法：

○1硅片偏转一定角度注入

○2使用质量较大的原子注入

○3大剂量注入（形成非晶层）

○4隔介质膜注入