已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。    

试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。

（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。

（3）B元素的单质分子中有______个π键。

（4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______ 

（5）FH₃沸点与比BH₃_____(填“高”或“低”)，原因是________________。

（6）当0.01摩尔CrE₃·6H₂O在水溶液中用过量的AgNO₃溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。

选修《物质结构》

三氟化氮是一种无色、无味、无毒且不可燃的气体，在半导体加工，太阳能电池制造和液晶显示器制造中得到广泛应用．NF₃是一种三角锥型分子，键角102°，沸点-129℃；可在铜的催化作用下由F₂和过量NH₃反应得到．

（1）写出制备 NF₃的化学反应方程式：______．

（2）NF₃的沸点比NH₃的沸点（-33℃）低得多的主要原因是______．

（3）与铜属于同一周期，且未成对价电子数最多的元素基态原子核外电子排布式为______．

（4）理论上HF、NaAlO₂和NaCl按6：1：2的物质的量之比恰好反应生成HCl、H₂O和一种微溶于水的重要原料，该物质含有三种元素，则该物质的化学式为______其中心离子是______，配位数为______．

（5）根据下 * * 种元素的第一至第四电离能数据（单位：kJ•mol^-1 ），回答下面各题：

②T元素最可能是______区元素．若T为第二周期元素，E是第三周期元素中原子半径最小的元素，则T、E形成化合物的空间构型为______，其中心原子的杂化方式为______．