参考答案：

①三维成核要求的过饱和度一般都比较大，晶体生长阶段所需要的过饱和度也比较高；②晶体生长阶段一般遵从螺旋位错生长机制，或通过顶角和晶棱成核；③晶体生长速度主要受溶质穿过边界层的扩散过程限制；④热量输运对晶体生长的影响可忽略。该生长法可分为两类：①自发成核法；②籽晶生长法。