问题
单项选择题
第三代IFP（Regen C）连续重整再生工艺中，培烧区氧含量一般控制在（）。
A、0.6-0.8%（v）
B、4-6%（v）
C、8-10%（v）
D、21%（v）
答案
参考答案：D
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第三代IFP（Regen C）连续重整再生工艺中，培烧区氧含量一般控制在（）。
A、0.6-0.8%（v）
B、4-6%（v）
C、8-10%（v）
D、21%（v）
参考答案：D