砷化镓(GaAs)属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如下图。

试回答：

(1)As的核外电子排布式为_____________。

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。

(3)下列说法正确的是__________（填字母）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B．第一电离能：As> Ca

C．电负性：As> Ga

D．砷化镓晶体中含有配位键

E．半导体GaP与CaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。AsH₃的空间形状为____，(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为_____________。

(5) AsH₃沸点比NH₃低，其主要原因是__________________