问题
填空题
Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：
(1)下列说法正确的是____（填序号）。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能As>Ga
C.电负性As>Ga
D.原子半径As>Ga
(2)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_________________；
(3)AsH3空间形状为_______；已知(CH3)3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
(4)请解释金属铜能导电的原因___________，Cu2+的核外电子排布式为_________________
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有___________和____________。
答案
(1)BC
(2)(CH3)3Ga+AsH3
GaAs+3CH4
(3)三角锥；sp2
(4)铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动；
[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9
(5)离子键；配位键
分别沿两轨道滑行，到达B点或C点后分别水平抛出，欲使两滑块的落地点相同，滑块的初速度