问题
问答题
已知：硅导带底有效态度密度Nc=2.9×1019cm-3，价带顶有效态密度Nv=1×1019cm-3；室温下，玻尔兹曼常数与绝对温度的乘积KT=0.026eV。
请问室温下本征硅的Ei偏离禁带中间位置有多少？
答案
参考答案：
是禁带中间位置，因此，偏离为：
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已知：硅导带底有效态度密度Nc=2.9×1019cm-3，价带顶有效态密度Nv=1×1019cm-3；室温下，玻尔兹曼常数与绝对温度的乘积KT=0.026eV。
请问室温下本征硅的Ei偏离禁带中间位置有多少？
参考答案：
是禁带中间位置，因此，偏离为：