问题
单项选择题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
答案
参考答案:D
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
参考答案:D