（三选一）【化学——选修物质结构与性质】

(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中，GaN属于_________晶体。

(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有___________的原子或离子 

(3)CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：

请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。

②SO₂分子的空间构型为__________。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为_________

 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是____________。

④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。    

a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如图所示，其中Cl原子的配位数为____________。

患者，女，25岁，因职业关系要求美容上颌前牙。口腔检查：全口牙为中度氟牙症伴部分牙列拥挤，其中右上3及左上3轻度唇向错位，左上1轻度扭转；牙龈状态及咬合均无异常。

对于此病例中的错位牙的最佳处理方法为（）。

A.不做处理直接制作金属全冠

B.不做处理直接制作全瓷冠

C.根管治疗后制作金属核桩及金属烤瓷冠

D.根管治疗后制作金属核桩及全瓷冠

E.根管治疗后制作纤维核桩及全瓷冠