Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．

（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子结构示意图______．

（2）Ga的原子核外电子排布式为：______．

（3）GaCl₃和AsF₃的空间构型分别是：GaCl₃______，AsF₃______．

（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于______晶体，并写出其主要的物理性质______  （任2种）．

（5）第一电离能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．

（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是______．

（7）二氧化硒分子的空间构型为______，写出它的1个等电子体的分子式______．

有关泥浆护壁冲击钻成孔叙述，正确的有（）。

A.冲击钻开孔时，应低锤密击，反复冲击造壁，保持孔内泥浆面稳定

B.每钻进6～8m应验孔一次，在更换钻头前或容易缩孔处，均应验孔并应做记录

C.排渣过程中应及时补给泥浆

D.稳定性差的孔壁应采用泥浆循环或抽渣筒排渣

E.清孔后灌注混凝土之前的泥浆指标符合要求