问题
问答题
何为晶粒生长与二次再结晶简述晶粒生长与二次再结晶的区别,并根据晶粒的极限尺寸讨论晶粒生长的过程。
答案
参考答案:
解析:晶粒生长是无应变的材料在热处理时,平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续增大的过程。在坯体内晶粒尺寸均匀地生长,晶粒生长时气孑L都维持在晶界上或晶界交汇处。二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶消耗时的一种异常长大过程,是个别晶粒的异常生长。二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。二次再结晶还与原料粒径有关。 造成二次再结晶的原因:原料粒径不均匀,烧结温度偏高,烧结速率太快。 晶粒生长过程略。 防止二次再结晶的方法:控制烧结温度、烧结时间,控制原料粒径的均匀性,引入烧结添加剂。