问题
填空题
多晶硅生产工艺流程如下：
（1）粗硅粉碎的目的是 。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为 。
（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)
Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K = 。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有 。
（3）该流程中可以循环使用的物质是 。
（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl3，其化学方程式为 。
答案
（1）增大接触面积，加快反应速率，充分反应(2分) 蒸馏(2分)
（2）K= 
(3分) 升高温度或增大氢气与 SiHC13的物质的量之比或增大氢气浓度(2分)
（3）HCl、H2(2分)
（4）3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3(2分)
题目分析： （1）粗硅粉碎长大了表面积，加快反应速率；SiHCl3和SiCl4均为液态而且互相溶解，根们沸点不同，用蒸馏法分离。
（2）Si为固态，表达式中无Si，使平衡向正反应方向移动，能提高还原时SiHCl3的转化率。
（3））HCl、H2在流程中分别作反应物和生成物，所以可循环使用。
（4）结合流程，对比SiHCl3和SiCl4，可得出反应物还有和H2和Cl2，然后写出化学方程式。