A、B、C、D、E属于短周期元素，且原子序数依次增大，已知A 与E同主族，B、C、D、E同周期，A与B可形成两种离子化合物甲和乙，在甲中A、B 离子的电子层结构相同；C的简单离子半径是同周期所有离子中最小的，高纯度的D单质可制造芯片；又知 C、D的单质都能与强碱溶液反应。
（1）写出: A D （元素符号），乙 （化学式 ）
（2）E元素在周期表中的位置是第 周期，第 族。
（3）画出B的原子结构示意图 ；
（4）C单质与NaOH溶液反应的离子方程式 ；
（5）举出C单质在工业上的一种重要用途（必须用化学方程式表示） 。
（10分）
（1）O Si， Na2O2 （2）3， ⅥA。 各 1分
（3）
； 1分
（4） 2Al+2OH-+6H2O = 2[Al(OH)4]-+3H2↑；---2分
（5） 2Al + Fe2O3
Al2O3+2Fe 或4Al + 3MnO22Al2O3+3Mn 2分。
题目分析：由高纯度的D单质可制造芯片，得知D为Si元素。C、D的单质都能与强碱溶液反应，得知C为Al元素。A与B可形成两种离子化合物甲和乙，在甲中A、B 离子的电子层结构相同，得知A为O元素，B为Na元素。A 与E同主族，得知E为S元素。
（1）A为O元素，D为Si元素。乙为Na2O2。
（2）E为S元素，在周期表中的位置是第三周期，第ⅥA族。
（3）B为Na元素，原子结构示意图为。
（4）C为Al元素，与NaOH溶液反应的离子方程式为2Al+2OH-+6H2O = 2[Al(OH)4]-+3H2↑。
（5）C为Al元素，其单质可以用来焊接铁轨和制取金属单质，方程式为2Al + Fe2O3Al2O3+2Fe，4Al + 3MnO22Al2O3+3Mn。
点评：本题考查元素位置结构性质关系及应用，题目难度中等，本题侧重于电子式的书写，学习中注意把握书写要点。