问题
问答题 简答题
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
答案
参考答案：
利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个熔区，熔区温度为1410℃，并使之从一端移至另一端，以达到提纯和控制杂质的目的。
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简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
参考答案：
利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个熔区，熔区温度为1410℃，并使之从一端移至另一端，以达到提纯和控制杂质的目的。