问题 单项选择题

悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。

A.3min

B.5min

C.7min

D.10min

答案

参考答案:D

实验题
判断题