畴壁
参考答案：
相邻磁畴间的边界区域，其厚度相当于许多个单位晶格点阵单元，在畴壁中磁矩的取向从一个磁畴的方向相邻磁畴的方向逐渐改变。
本装置所用的HYPO是（）。
A、氧化剂
B、还原剂
C、链转移剂
D、防粘剂
发芽法要求的最低发芽率是（）
A.40％
B.50％
C.60％
D.85％
E.95％
