问题
单项选择题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的
A．突触前末梢去极化
B．Ca2+由膜内进入突触前膜内
C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
答案
参考答案：E
解析：
IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。
中，属于两大部类相互交换的是（）。