问题
单项选择题
某DRAM芯片内部存储元排列成1024×1024的矩阵，且已知其存取周期为0.1μs，最大刷新间隔为2ms。当采用异步刷新方式时，死时间( )。
A．=2ms
B．≈0.1ms
C．-0.2μs
D．-0.1μs
答案
参考答案：D
解析：当采用异步刷新方式时，将对DRAM芯片内1024行的刷新均匀分布在2ms内的不同时间，每次刷新一行；这样每次刷新只需停止一个存取周期，即“死时间”为一个存取周期——0.1μs，故选D。