参考答案：

在单阱工艺的MOS器件中（P阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结，两个PN结串联组成PNPN结构，即两个寄生三极管（NPN和PNP），一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通，两者的正反馈使得电流积聚增加，产生自锁现象。

影响：产生自锁后，如果电源能提供足够大的电流，则由于电流过大，电路将被烧毁。