问题
问答题 简答题
以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
答案
参考答案:
首先NPN具有较薄的基区,提高了其性能:N阱使得NPN管C极与衬底断开,可根据电路需要接任意电位。缺点:集电极串联电阻还是太大,影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层,使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。
以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
参考答案:
首先NPN具有较薄的基区,提高了其性能:N阱使得NPN管C极与衬底断开,可根据电路需要接任意电位。缺点:集电极串联电阻还是太大,影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层,使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。