应用安培环路定律∮Hdl-∑I，对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知：（）

A.在其外部，即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同

B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度

C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度

D.在其内部，即r

属于传感器静态特性指标的是（）。

A、灵敏度

B、阻尼比

C、临界频率

D、固有频率