问题 单项选择题

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A.是局部去极化电位

B.具有“全或无”性质

C.后膜对Cl-通透性上升

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致

答案

参考答案:C

解析:兴奋性突触后电位(EPSP):递质作用于后膜,后膜对Na+和K+通透性上升(尤其对Na+通透性上升),导致去极化;抑制性突触后电位(IPSP):后膜对Cl-通透性上升,Cl-内流,使膜电位超极化(有认为K+通透性上升及Na+、Ca2+通道关闭)。

单项选择题
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