问题
单项选择题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.后膜对Cl-通透性上升
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
参考答案:C
解析:兴奋性突触后电位(EPSP):递质作用于后膜,后膜对Na+和K+通透性上升(尤其对Na+通透性上升),导致去极化;抑制性突触后电位(IPSP):后膜对Cl-通透性上升,Cl-内流,使膜电位超极化(有认为K+通透性上升及Na+、Ca2+通道关闭)。