有一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料,非常薄,很容易用在纳米技术上,在制造微型晶体管、发光二极管(LED)、太阳能电池等方面有很大潜力.某学习小组利用辉钼制成的半导体来探究其电阻的决定因素,做了如下实验
(1)用多用电表R×1档测其电阻,表盘指针如图1,则半导体材料的电阻为______Ω
(2)某同学利用器材连接电路如图2所示.闭合电键后,发现电路有故障(已知电源、电表和导线均完好,电源电动势为12V):若电流表示数为零、电压表示数几乎为12V,则发生故障的是______处
A.半导体材料 B.滑动变阻器
C.电键 D.电源
②若电流表、电压表示数均为零,该同学利用多用电表检查故障时将选择开关旋至______档
A.欧姆×10 B.直流电压25V
C.直流电流500mA D.交流电压25V
(3)为使实验尽可能准确,请你对该同学的实物连接电路加以改进.(至少一条)______.
(1)半导体材料的阻值为R=1×19Ω=19Ω.
(2)①闭合电键后,发现电路有故障(已知电源、电表和导线均完好,电源电动势为12V):若电流表示数为零、电压表示数几乎为12V,则电路故障是A.
②用欧姆表检查电路故障时,应断开电源,在该实验中并没有断开电源,因此应使用电压表检查电路故障,先将选择开关旋至直流电压25V,故选B.
(3)为使实验尽可能准确,“电流表量程应选0~0.6A”或“安培表应用外接法”.
故答案为:
(1)19Ω (2)①A ②B (3)“电流表量程应选0~0.6A”或“安培表应用外接法”.