硅光电池是一种可将光能转换为电能的器件。某同学用如图所示电路研究硅光电池的伏安特性曲线。图中R₀为已知定值电阻，两个电压表均视为理想电压表。

（1）实验一：用一定强度的光照射硅光电池，调节滑动变阻器，通过测量和计算得到该电池的U-I曲线如图甲。由此可知电池的内阻随电流的增大而____________（填：增大，减小，不变），短路电流为____________μA，电动势为____________V。

（2）实验二：减小光的强度，重复实验，得到的U-I曲线如图乙。当滑动变阻器的电阻为某一值时，实验一中的V₁表的示数为1.5V，保持该阻值不变，在实验二中外电路消耗的电功率为____________mW。（结果保留两位有效数字）

桥下净空高度是指（）与桥跨结构最下缘之间的高差。

A.设计水位

B.枯水位

C.历史最高水位

D.设计通航水位

E.历史最低水位