问题
单项选择题
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A．是局部去极化电位
B．具有“全或无”性质
C．是局部超极化电位
D．由突触前膜递质释放量减少所致
E．由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
参考答案：C
解析：参阅[2004N018]。抑制性突触后电位(1PSP)是局部电位，不具备“全或无”性质，“全或无”为动作电位的特征。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A．是局部去极化电位
B．具有“全或无”性质
C．是局部超极化电位
D．由突触前膜递质释放量减少所致
E．由突触后膜对钠通透性增加所致
参考答案：C
解析：参阅[2004N018]。抑制性突触后电位(1PSP)是局部电位，不具备“全或无”性质，“全或无”为动作电位的特征。